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BZT52H-B5V6,115

NXP Semiconductors SOD-123F
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简述:DIODE ZENER 5.6V SOD123
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BZT52H-B5V6,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZT52H-B62,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 62V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):62V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B68,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 68V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):68V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B6V2,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 6.2V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZT52H-B5V1,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 5.1V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):4.7V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZT52H-B56,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 56V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):56V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B51,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 51V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):51V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...

BZT52H-B5V6,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):5.6V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 2V
容差:±5%
功率 - 最大:375mW
阻抗(最大)(Zzt):40 欧姆
安装类型:表面贴装

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