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BZT52H-B2V4,115

NXP Semiconductors SOD-123F
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简述:DIODE ZENER 2.4V SOD123
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BZT52H-B2V4,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZT52H-B2V7,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 2.7V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):2.7V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZT52H-B30,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 30V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):30V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B33,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 33V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):33V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B27,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 27V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):27V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B24,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 24V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):24V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZT52H-B22,115 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 22V SOD123 电压 - 齐纳(标称)(Vz):22V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...

BZT52H-B2V4,115参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):2.4V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:50µA @ 1V
容差:±5%
功率 - 最大:375mW
阻抗(最大)(Zzt):85 欧姆
安装类型:表面贴装

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