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BZB84-C3V3,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE ZENER DL 3.3V 300MW SOT-23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZB84-C3V6,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 3.6V 300MW SOT-23 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.6V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZB84-C3V9,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 3.9V 300MW SOT-23 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.9V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZB84-C43,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 43V 300MW SOT23-3 电压 - 齐纳(标称)(Vz):43V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZB84-C3V0,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 3.0V 300MW SOT-23 电压 - 齐纳(标称)(Vz):3V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最...
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BZB84-C36,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 36V 300MW SOT23-3 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...

BZB84-C3V3,215参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):3.3V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:5µA @ 1V
配置:1 对共阳极
功率 - 最大:300mW
阻抗(最大)(Zzt):95 欧姆
容差:±5%
安装类型:表面贴装

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