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BZB84-B68,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:DIODE ZENER DL 68V 300MW SOT23-3
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BZB84-B6V2,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 6.2V 300MW SOT-23 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.2V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZB84-B6V8,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 6.8V 300MW SOT-23 电压 - 齐纳(标称)(Vz):6.8V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
BZB84-B75,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 75V 300MW SOT23-3 电压 - 齐纳(标称)(Vz):75V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZB84-B62,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 62V 300MW SOT23-3 电压 - 齐纳(标称)(Vz):62V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(...
BZB84-B5V6,215 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER DL 5.6V 300MW SOT-23 电压 - 齐纳(标称)(Vz):5.6V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)...
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BZB84-B68,215参数资料

PDF资料下载:

电压 - 齐纳(标称)(Vz):68V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电:50nA @ 47.6V
配置:1 对共阳极
功率 - 最大:300mW
阻抗(最大)(Zzt):240 欧姆
容差:±2%
安装类型:表面贴装

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