收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUZ73AH3046
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUZ73AH3046

Infineon Technologies TO-220-3 500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与BUZ73AH3046相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUZ73AL Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUZ73ALH Infineon Technologies TO-220-3 448 MOSFET N-CH 200V 5.5 TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUZ73E3046 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUZ73AH Infineon Technologies TO-220-3 1411 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUZ73AE3046 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUZ73A Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BUZ73AH3046参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):530pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别