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BUZ32

Infineon Technologies TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与BUZ32相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUZ32E3045A Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUZ32H Infineon Technologies TO-220-3 490 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
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BUZ32参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):530pF @ 25V
功率 - 最大值:75W
安装类型:通孔

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