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BUK9Y19-75B,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 3000
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简述:MOSFET N-CH 75V 48.2A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

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BUK9Y19-75B,115参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):48.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3096pF @ 25V
功率 - 最大值:106W
安装类型:表面贴装

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