收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK9Y104-100B,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK9Y104-100B,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BUK9Y104-100B,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK9Y11-30B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9Y113-100E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V LFPAK ...
BUK9Y12-100E,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V LFPAK ...
BUK9Y09-40B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9Y07-30B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9MJT-55PRF,518 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 55V 20SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

BUK9Y104-100B,115参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):14.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):99 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1139pF @ 25V
功率 - 最大值:59W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别