收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK9E4R4-40B,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK9E4R4-40B,127

NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 990
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与BUK9E4R4-40B,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK9E4R4-80E,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 300 MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E4R9-60E,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 300 MOSFET N-CH 60V I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E6R1-100E,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 290 MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E3R7-60E,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 300 MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E3R2-40E,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 300 MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E3R2-40B,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 300 MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BUK9E4R4-40B,127参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7124pF @ 25V
功率 - 最大值:254W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别