收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK9E04-30B,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK9E04-30B,127

NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 1030
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与BUK9E04-30B,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK9E04-40A,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH TRENCH 40V I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E06-55A,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 260 MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9E06-55B,127 NXP Semiconductors TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9907-55ATE,127 NXP Semiconductors TO-220-5 2000 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
BUK9907-40ATC,127 NXP Semiconductors TO-220-5 3000 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
BUK9880-55A,115 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 55V 7A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BUK9E04-30B,127参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6526pF @ 25V
功率 - 最大值:254W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别