收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK9635-100A,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK9635-100A,118

NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与BUK9635-100A,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK9635-55,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9635-55A,118 NXP Semiconductors 4800 MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK ...
BUK9637-100E,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 31A D2PAK ...
BUK962R8-60E,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK ...
BUK962R8-30B,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK962R6-40E,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK ...

BUK9635-100A,118参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):41A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):34 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3573pF @ 25V
功率 - 最大值:149W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别