收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK9608-55B,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK9608-55B,118

NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2400
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与BUK9608-55B,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK9609-40B,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4000 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9609-55A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9609-75A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 300 MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK FET 类型:* FET 功能:* 漏源极电压 (Vdss):* 电流 - 连续...
BUK9608-55A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4668 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9608-55,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK9607-30B,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4754 MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BUK9608-55B,118参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5280pF @ 25V
功率 - 最大值:203W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别