收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK7Y10-30B,115
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK7Y10-30B,115

NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
参考包装数量:1500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BUK7Y10-30B,115相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK7Y12-55B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7Y13-40B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH TRENCH 40V LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7Y18-55B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1046 MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7Y102-100B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK 1500 MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7Y08-40B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7Y07-30B,115 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BUK7Y10-30B,115参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):67A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):10 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1183pF @ 25V
功率 - 最大值:85W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别