收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK763R1-40B,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK763R1-40B,118

NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4800
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

与BUK763R1-40B,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK763R1-60E,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BUK763R4-30B,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH TRENCH 30V D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK763R6-40C,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4753 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7635-55A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 3200 MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7635-100A,118 NXP Semiconductors 300 MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK ...
BUK7631-100E,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK ...

BUK763R1-40B,118参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):94nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6808pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别