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BUK761R8-30C,118

NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 788
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简述:MOSFET N-CH TRENCH 30V D2PAK
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与BUK761R8-30C,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK7620-100A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7620-55A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7623-75A,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK761R7-40E,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK ...
BUK761R6-40E,118 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK761R4-30E,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK ...

BUK761R8-30C,118参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):10349pF @ 25V
功率 - 最大值:333W
安装类型:表面贴装

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