收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK754R7-60E,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK754R7-60E,127

NXP Semiconductors TO-220-3 298
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与BUK754R7-60E,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK755R2-40B,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4994 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK755R4-100E,127 NXP Semiconductors TO-220-3 300 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7575-100A,127 NXP Semiconductors TO-220-3 258 MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK754R3-75C,127 NXP Semiconductors TO-220-3 979 MOSFET N-CH TRENCH 75V TO220AB-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK754R3-40B,127 NXP Semiconductors TO-220-3 900 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK754R0-55B,127 NXP Semiconductors TO-220-3 330 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BUK754R7-60E,127参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):82nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6230pF @ 25V
功率 - 最大值:234W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别