收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK7506-55B,127
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK7506-55B,127

NXP Semiconductors TO-220-3 1240
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与BUK7506-55B,127相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK7506-75B,127 NXP Semiconductors TO-220-3 300 MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7507-30B,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4828 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7507-55B,127 NXP Semiconductors TO-220-3 4647 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7506-55A,127 NXP Semiconductors TO-220-3 150 MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7505-30A,127 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7504-40A,127 NXP Semiconductors TO-220-3 3000 MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BUK7506-55B,127参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5100pF @ 25V
功率 - 最大值:254W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别