收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK7207-30B,118
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BUK7207-30B,118

NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 832
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:

与BUK7207-30B,118相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BUK7208-40B,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 75A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7210-55B,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 17500 MOSFET N-CH 55V SOT428 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK7212-55B,118 NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 75A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BUK714R1-40BT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK ...
BUK7109-75ATE,118 NXP Semiconductors TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
BUK7109-75AIE,118 NXP Semiconductors TO-263-5,D²Pak(4 引线+接片),TO-263BB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:电流感测 漏源极...

BUK7207-30B,118参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):75A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2245pF @ 25V
功率 - 最大值:167W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别