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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BUK661R9-40C,118
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BUK661R9-40C,118

NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4000 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH TRENCH D2PACK
参考包装数量:800
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BUK661R9-40C,118参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15100pF @ 25V
功率 - 最大值:306W
安装类型:表面贴装

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