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BUK6209-30C,118

NXP Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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简述:MOSFET N-CH TRENCH DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BUK6209-30C,118参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.8 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1760pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:表面贴装

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