| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BTS3028SDL |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：IC SWITCH SMART LOWSIDE TO252-3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BTS3028SDR | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11 | 类型：低端 输入类型：非反相 输出数：1 导通状态电阻：28 毫欧 电流 - 输... | |
| BTS3046SDL | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11 | 类型：低端 输入类型：非反相 输出数：1 导通状态电阻：46 毫欧 电流 - 输... | |
| BTS3046SDR | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | IC SW SMART LOW SIDE TO252-3-11 | 类型：低端 输入类型：非反相 输出数：1 导通状态电阻：46 毫欧 电流 - 输... | |
| BTS282ZE3230 | Infineon Technologies | TO-220-7 | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BTS282ZE3180A | Infineon Technologies | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BTS282Z | Infineon Technologies | TO-220-7 成形引线 | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
