收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BTS121AE3045A
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BTS121AE3045A

Infineon Technologies TO-220-3 1000
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BTS121AE3045A相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BTS133 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 7A TO-220 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:40 毫欧 电流 - 输...
BTS133E3045A Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IC SWITCH SMART LOWSIDE TO220SMD 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:40 毫欧 电流 - 输...
BTS133E3064 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IC SWITCH LOSIDE PWR N-CH TO-220 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:40 毫欧 电流 - 输...
BTS121A Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输...
BTS118D Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5760 IC PWR SWITCH 42V 2.4A TO252 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:70 毫欧 电流 - 输...
BTS117TC Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IC SWITCH SMART LOWSIDE TO263-3 类型:低端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:80 毫欧 电流 - 输...

BTS121AE3045A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 9.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1500pF @ 25V
功率 - 最大值:95W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别