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BTS115A

Infineon Technologies TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

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BTS115A参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 7.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):735pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔

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