型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSZ900N15NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8 参考包装数量:5000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSZ900N20NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
BT05-2A66 | Standex-Meder Electronics | RELAY REED DPST 500MA 5V | ... | ||
BT-1 | Curtis Industries | TERM BLOCK HIGH CURRENT 1CIRC | ... | ||
BSZ520N15NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 150V 21A 8-TDSON | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
BSZ440N10NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
BSZ42DN25NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |