| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSZ22DN20NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 15000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSZ240N12NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ340N08NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BSZ42DN25NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ180P03NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ180P03NS3EG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ16DN25NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
