| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSZ12DN20NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 18347 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON 参考包装数量：1 参考包装形式： |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSZ130N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ130N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 8243 | MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ160N10NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BSZ123N08NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 20000 | MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSZ120P03NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ120P03NS3EG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
