| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSZ076N06NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSZ086P03NS3EG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ086P03NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ088N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSZ067N06LS3G | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 10000 | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ065N03LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 12A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
