| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSS83,215 |
NXP Semiconductors | TO-253-4，TO-253AA | 9000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 10V 50MA SOT-143B 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS83,235 | NXP Semiconductors | TO-253-4，TO-253AA | MOSFET N-CH 10V 50MA SOT143 | 晶体管类型：N 通道 频率：- 增益：- 电压 - 测试：- 额定电流：50mA... | |
| BSS83PE6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS83PH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 33000 | MOSFET P-CH 60V 330mA SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSS816NWL6327 | Infineon Technologies | SC-70，SOT-323 | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS806NL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS806NH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 12000 | MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
