| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS316NH6327 |
Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS316NL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS44 | STMicroelectronics | TO-205AD，TO-39-3 金属罐 | IC TRANSISTOR PNP TO-39 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：5A 电压 - 集电极发... | |
| BSS63 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 9000+219000 | TRANS PNP GP 100V 200MA SOT23 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA 电压 - 集... |
| BSS315PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS315PH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSS314PEL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
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