| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS308PEL6327 |
Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS314PEH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 3000 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSS314PEL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS315PH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 6000 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSS308PEH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS306NL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS306NH6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 7790 | MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
