收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSS138P,215
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSS138P,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 360MA TO-236AB
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSS138P,215相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSS138PS,115 NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 15000 MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSS138PW,115 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 60V 320MA SC-70 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS138TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 65235 MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS138NL6433 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS138NL6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS138NH6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230mA SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSS138P,215参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):360mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
功率 - 最大值:350mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别