| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS127H6327 |
Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS127L6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS127S-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N CH 600V 50MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS127SSN-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 50MA SC59 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BSS127E6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS126L6906 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSS126L6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
