| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS126H6906 |
Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 16811 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS126L6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSS126L6906 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSS127E6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS126H6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSS126E6906 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSS126E6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 600V 21MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
