收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSS123LT3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSS123LT3

ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSS123LT3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSS123LT3G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS123TA Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 81000 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSS123TC Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSS123LT1G ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 129000 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS123LT1 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSS123L6433 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 10000 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSS123LT3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):170mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):20pF @ 25V
功率 - 最大值:225mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别