型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS119L6433 |
Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 10000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 参考包装数量:10000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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BSS123 | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 216000 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |
BSS123,215 | NXP Semiconductors | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 294000 | MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
BSS123_D87Z | Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS119L6327 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS119E7978 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
BSS119E7796 | Infineon Technologies | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |