| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSS119E6327 |
Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSS119E6433 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS119E7796 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSS119E7978 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSR92PL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSR802NL6327 | Infineon Technologies | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 8630 | MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSR58LT1G | ON Semiconductor | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | TRANS JFET N-CHAN 40V SOT-23 | 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)：8mA @ 15V 漏极... |
