| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP89E6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP89L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP92PE6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET P-CH 250V 260MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP92PL6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 8000 | MOSFET P-CH 250V 260MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP89,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 62000 | MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSP88L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 3602 | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP88E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
