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BSP51,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 1000
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简述:TRANS NPN 80V 1000MA SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP51E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 60V SOT-223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...
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BSP50E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR DARL NPN 45V SOT-223 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 ...

BSP51,115参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.3V @ 500µA,500mA
电流 - 集电极截止(最大):50nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):2000 @ 500mA,10V
功率 - 最大:1.25W
频率 - 转换:200MHz
安装类型:表面贴装

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