| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP300L6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP304A,126 | NXP Semiconductors | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 | MOSFET P-CH 300V 170MA SOT54 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP31,115 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 1000 | TRANS PNP 60V 1A SOT223 | 晶体管类型：PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A 电压 - 集电极发... |
| BSP3-120 | Thomas Research Products | 53 | SURGE PROTECTOR-120V DRIVER | ... | |
| BSP300E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSP299L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 1000 | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSP299E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
