收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSP297L6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSP297L6327

Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSP297L6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP298E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP298L6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP299E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP297E6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP296L6433 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 4000 MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSP296L6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSP297L6327参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):660mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):357pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别