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BSP220,115

NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA 3000
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简述:MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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BSP220,115参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):225mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):90pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装

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