收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSP149E6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSP149E6327

Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSP149E6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSP149E6906 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
BSP149L6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 34000 MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
BSP149L6906 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
BSP135L6906 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
BSP135L6433 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA 6154 MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...
BSP135L6327 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极...

BSP149E6327参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:耗尽模式
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):660mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 660mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 400µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):430pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别