| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSP149E6327 |
Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP149E6906 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP149L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 34000 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| BSP149L6906 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP135L6906 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP135L6433 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | 6154 | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
| BSP135L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
