| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSP130,115 |
NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | 4000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSP135E6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP135E6906 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP135L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP129L6906 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP129L6327 | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... | |
| BSP129E6327T | Infineon Technologies | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：耗尽模式 漏源极... |
