收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > BSO4420T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSO4420T

Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSO4420T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSO4804 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSO4804T Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
BSO4822 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO4420 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO4410T Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSO4410 Infineon Technologies 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

BSO4420T参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2213pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别