| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSO083N03MSG |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 11A DSO-8 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSO094N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO104N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO110N03MSG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO080P03SH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO080P03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO080P03NS3G | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
