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BSH203,215

NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000
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简述:MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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BSH203,215参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):470mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 280mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):680mV @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):110pF @ 24V
功率 - 最大值:417mW
安装类型:表面贴装

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