| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSF |
MPD (Memory Protection Devices) | 询价QQ： |
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| 简述：9V FEMALE SNAP 6-SIDED 参考包装数量：1000 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSF024N03LT3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 10000 | MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSF030NE2LQ | Infineon Technologies | 3-WDSON | 10000 | MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSF045N03MQ3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSD840NH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSD816SNL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSD316SNL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
