| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSF077N06NT3G |
Infineon Technologies | 3-WDSON | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSF083N03LQG | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSF134N10NJ3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 9760 | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSF-HD | MPD (Memory Protection Devices) | 0+49000 | 9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY | ... | |
| BSF053N03LTG | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSF050N03LQ3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | 10000 | MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSF045N03MQ3G | Infineon Technologies | 3-WDSON | MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
