| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSC196N10NSG |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC200P03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC205N10LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC22DN20NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 9774 | MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC190N15NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC190N12NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 7630 | MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC16DN25NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
