| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSC123N08NS3G |
Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC123N10LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC12DN20NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC130P03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC120N03MSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 15000 | MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC120N03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSC119N03SG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
